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簡(jiǎn)要描述：磷化鎵晶體GaP太赫茲晶體GaP磷化鎵是一種人工合成的化合物半導(dǎo)體材料。外觀：橙紅色透明晶體。磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導(dǎo)體材料。（110）晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時(shí)域光譜儀中作為探測(cè)晶體，其橫光學(xué)支聲子線(xiàn)在11THz。通常可探測(cè)的頻譜寬度在0.1-6.5THz。
產(chǎn)品型號(hào)：GaP更新時(shí)間：2025-03-12訪(fǎng) 問(wèn) 量：1692產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
詳細(xì)介紹
磷化鎵晶體是一種人工合成的化合物半導(dǎo)體材料。外觀：橙紅色透明晶體。磷化鎵晶體是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導(dǎo)體材料。磷化鎵的晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型，晶格常數(shù)5.447±0.06埃，化學(xué)鍵是以共價(jià)鍵為主的混合鍵，其離子鍵成分約為20%，300K時(shí)能隙為2.26eV，屬間接躍遷型半導(dǎo)體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體(如GaAS、 InP)相同，可通過(guò)引入深中心使費(fèi)米能級(jí)接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質(zhì)元素可成為半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料。
<110>晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時(shí)域光譜儀中作為探測(cè)晶體，其橫光學(xué)支聲子線(xiàn)在11THz。通?？商綔y(cè)的頻譜寬度在0.1-6.5THz。
磷化鎵晶體實(shí)物圖
中文名：磷化鎵晶體
外文名：Gallium phosphide
分子式：GaP晶體
分子量：100.6968
實(shí)驗(yàn)結(jié)果圖為40fs鈦藍(lán)寶石激光泵浦寬譜光電導(dǎo)天線(xiàn)，400um厚GaP晶體探測(cè)的結(jié)果
| 型號(hào) | 晶向 | 尺寸(mm) | 厚度（mm） |
| GaP-110-10-2 | <110> | 10*10 | 2 |
| GaP-110-10-1 | <110> | 10*10 | 1 |
| GaP-110-10-0.5 | <110> | 10*10 | 0.5 |
| GaP-110-10-0.4 | <110> | 10*10 | 0.4 |
| GaP-110-10-0.3 | <110> | 10*10 | 0.3 |
| GaP-110-10-0.2 | <110> | 10*10 | 0.2 |
| GaP-110-10-0.1 | <110> | 10*10 | 0.1 |
| GaP-110-10-0.05 | <110> | 10*10 | 0.05 |
| GaP-110-10-10-0.1-3 | 晶向100um厚度的GaP晶體光學(xué)粘接于<100>晶向3mm厚度的GaP晶體襯底 | ||
| GaP-110-10-10-0.2-3 | <span background-color:#ffffff;"="" style="color: rgb(51, 51, 51)"><110>晶向200um厚度的GaP晶體光學(xué)粘接于<100>晶向3mm厚度的GaP晶體襯底 | ||
| GaP-110-10-10-0.3-3 | <110>晶向300um厚度的GaP晶體光學(xué)粘接于<100>晶向3mm厚度的GaP晶體襯底 | ||
(a)其他規(guī)格要求的GaP晶體可以定制
(b)晶體默認(rèn)帶有外徑25.4mm的安裝架
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