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鈮酸鋰晶體 波前傾斜太赫茲發(fā)生器 鈮酸鋰（LiNbO3）晶體作為一種應(yīng)用廣泛的光學材料，它優(yōu)良的電光、聲光、壓電、熱電和非線性光學特性使得鈮酸鋰晶體可以被廣泛的應(yīng)用于電/聲光器件、高溫聲波傳感器、電光調(diào)制器（譜克爾盒）、頻率轉(zhuǎn)換器件、太赫茲產(chǎn)生器件等等。

太赫茲有機晶體Generators and Detectors ，THz organic crystal，DAST，有機晶體，THz有機晶體，太赫茲有機晶體，THz晶體，太赫茲發(fā)生器，太赫茲探測器，有機晶體DAST，太赫茲晶體DAST，太赫茲有機晶體DAST 非線性有機晶體在產(chǎn)生和探測THz時，往往更加高效，且可產(chǎn)生的頻譜更寬。

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GaSe硒化鎵晶體是一種暗棕色閃光的片狀晶體。相對密度5.03，熔點(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結(jié)構(gòu)半導體，隨著溫度的降低，GaSe光電效應(yīng)最大值向短波方向移動。硒化鎵作為一種非線性晶體和光電導體，通常被應(yīng)用于這些方面：于CO2激光器的二次諧波的產(chǎn)生，CO2激光器頻率上轉(zhuǎn)換至近紅外或可見光，中紅外波段的光學混頻，以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產(chǎn)生。同時GaS

磷化鎵晶體GaP太赫茲晶體 GaP磷化鎵是一種人工合成的化合物半導體材料。外觀：橙紅色透明晶體。磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導體材料。（110）晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時域光譜儀中作為探測晶體，其橫光學支聲子線在11THz。通常可探測的頻譜寬度在0.1-6.5THz。

ZnGeP2 晶體 ZGP晶體 太赫茲晶體$nZnGeP2（ZGP）單晶是用于頻率轉(zhuǎn)換產(chǎn)生中紅外以及太赫茲波的高效的非線性光學材料。ZnGeP2晶體具有正的雙折射，可以在0.75um-12.0um的波長范圍進行相位匹配光學參量頻率轉(zhuǎn)換。其有用的傳輸范圍位于從2.1至10.6微米，此范圍內(nèi)具有低至 0.04 cm-1的吸收。

太赫茲有機晶體 太赫茲發(fā)生器,DAST,DSTMS,OH1,太赫茲晶體，DAST晶體,DSTMS晶體,OH1晶體 基于有機晶體DAST，DSTMS，OH1晶體的太赫茲產(chǎn)生器，太赫茲探測器。