硒化鎵晶體

簡要描述：GaSe硒化鎵晶體是一種暗棕色閃光的片狀晶體。相對密度5.03，熔點(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結構半導體，隨著溫度的降低，GaSe光電效應最大值向短波方向移動。硒化鎵作為一種非線性晶體和光電導體，通常被應用于這些方面：于CO2激光器的二次諧波的產生，CO2激光器頻率上轉換至近紅外或可見光，中紅外波段的光學混頻，以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產生。同時GaS

產品型號：GaSe
更新時間：2026-01-06
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Product classification

太赫茲

太赫茲天線太赫茲元件太赫茲探測器太赫茲時域光譜儀 THz TDS 太赫茲晶體太赫茲源太赫茲時域光譜儀組件太赫茲相機太赫茲光電導天線（PCA）太赫茲功率計太赫茲近場探針太赫茲頻域光譜儀

品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	電子/電池

產品簡介

GaSe硒化鎵晶體是一種暗棕色閃光的片狀晶體。相對密度5.03，熔點(960±10)℃。GaSe和GaS一樣是層狀結構半導體，隨著溫度的降低，GaSe光電效應最大值向短波方向移動。硒化鎵作為一種非線性晶體和光電導體，通常被應用于這些方面：于CO₂激光器的二次諧波的產生，CO₂激光器頻率上轉換至近紅外或可見光，中紅外波段的光學混頻，以及5.5um-18.0um中紅外波段的的不同頻率的產生。同時GaSe晶體也可以被用來產生太赫茲輻射。

GaSe（硒化鎵晶體）的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe硒化鉀晶體是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe硒化鉀晶體抗損傷閾值高，非線性系數大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛秒的激光光源，GaSe發射-探測系統能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe硒化鉀晶體厚度的選取，我們可以實現對THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe硒化鉀晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。

GaSe 硒化鉀晶體參數

Structure	62m; a = 3.74 ; c = 15.89
Density	5.03 g/cm³
Mohs hardness	2
E_g, eV	2.02
Refractive indices at 5.3 µm	n_o = 2.8340; n_e = 2.4599
Refractive indices at 10.6 µm	n_o = 2.8136; n_e = 2.4389
Refractive index at 0.633 µm	n_o= 2.9365

GaSe 硒化鉀晶體透射譜

GaSe硒化鉀晶體產品

Diameter/Width	5-30 mm (can be elliptical)
Thickness/Length	0.1-40 mm
Orientation	X, Y, Z
Surface quality	Cleaved

硒化鎵晶體

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